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二次離子質(zhì)譜SIMS：原理與基本概念
來源： 時間：2024-12-03 09:16:07 瀏覽：3817次

二次離子質(zhì)譜SIMS：原理與基本概念

 

二次離子質(zhì)譜（Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS）是一種高靈敏度的表面分析技術，廣泛應用于材料科學、半導體制造、地質(zhì)學和生物學等領域；SIMS通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的原子或分子濺射出二次離子，然后通過質(zhì)譜儀分析這些二次離子，從而獲得樣品表面的化學成分信息。

一、基本原理

1. 一次離子束轟擊

一次離子：一次離子通常是一些高能量的離子束，如氧離子、銫離子、氬離子等，這些一次離子的能量一般在幾百電子伏特（eV）到幾十千電子伏特（keV）之間。

轟擊過程：一次離子束在高真空條件下聚焦于樣品表面，轟擊樣品表面的原子或分子；轟擊過程中，一次離子與樣品表面的原子發(fā)生彈性碰撞和非彈性碰撞，傳遞能量給樣品表面的原子。

2. 二次離子的產(chǎn)生

彈性碰撞：一次離子與樣品表面的原子發(fā)生彈性碰撞，傳遞動能給樣品表面的原子，使其獲得足夠的能量從表面濺射出來。

非彈性碰撞：一次離子與樣品表面的原子發(fā)生非彈性碰撞，傳遞部分能量給樣品表面的原子，使其發(fā)生電離，形成二次離子。

二次離子：二次離子可以是正離子或負離子，包括單原子離子、分子離子和簇離子；二次離子的產(chǎn)額通常非常低，但在特定條件下（如使用氧離子或銫離子作為一次離子）可以顯著提高。

3. 質(zhì)譜分析

質(zhì)量分析器：產(chǎn)生的二次離子被提取到質(zhì)量分析器中，通過電場和磁場的作用，按照質(zhì)荷比（m/z）進行分離。

檢測器：分離后的二次離子被檢測器檢測，生成質(zhì)譜圖；質(zhì)譜圖顯示了不同質(zhì)荷比的離子強度，從而提供了樣品表面的化學成分信息。

二、SIMS的基本概念

1. 動態(tài)SIMS與靜態(tài)SIMS

動態(tài)SIMS：使用高能量、高電流的一次離子束，快速磨蝕樣品表面，產(chǎn)生大量的二次離子；動態(tài)SIMS主要用于深度剖析，可以提供樣品縱向分布的信息，但對表面分子信息的保留較少。

靜態(tài)SIMS：使用低能量、低電流的一次離子束，緩慢磨蝕樣品表面，產(chǎn)生少量的二次離子；靜態(tài)SIMS主要用于表面化學狀態(tài)的分析，可以提供高分辨率的表面信息，適用于有機涂層、聚合物和生物樣品的分析。

2. 濺射產(chǎn)額

定義：濺射產(chǎn)額是指單位時間內(nèi)從樣品表面濺射出來的原子或分子的數(shù)量。

影響因素：濺射產(chǎn)額受一次離子的能量、入射角度、樣品材料性質(zhì)等因素的影響。例如，氧離子作為一次離子可以顯著提高正離子的產(chǎn)額，而銫離子可以提高負離子的產(chǎn)額。

3. 定量分析

標準樣品：為了進行定量分析，通常需要使用已知成分的標準樣品進行校準。

校正曲線：通過測量標準樣品的二次離子強度，建立二次離子強度與樣品成分之間的校正曲線，從而推算未知樣品的成分。

三、應用

1. 材料科學：SIMS可以檢測樣品中的微量元素，如半導體材料中的摻雜元素；通過動態(tài)SIMS，可以分析樣品的縱向分布，揭示不同深度的元素組成。

2. 半導體制造：SIMS可以精確測量半導體材料中的摻雜元素濃度，確保器件性能；SIMS可以檢測生產(chǎn)過程中的污染物，保證工藝的純凈度。

3. 地質(zhì)學：SIMS可以分析礦物中的同位素組成，用于地球化學和年代學研究；SIMS可以檢測巖石和礦物中的微量元素，揭示地質(zhì)過程。

4. 生物學：SIMS可以分析生物細胞的化學成分，揭示細胞的代謝過程和結構；SIMS可以檢測藥物在細胞中的分布，評估藥物的效果和安全性。

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全部 3小時前 四川
文字是人類用符號記錄表達信息以傳之久遠的方式和工具?，F(xiàn)代文字大多是記錄語言的工具。人類往往先有口頭的語言后產(chǎn)生書面文字，很多小語種，有語言但沒有文字。文字的不同體現(xiàn)了國家和民族的書面表達的方式和思維不同。文字使人類進入有歷史記錄的文明社會。
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